On écrit donc \[ x_E(t)=\snzi x_c(nT_e)P_{\tau}(t-nT_e), \quad P_{\tau}\text{ fonction porte } P_{\tau}(t)=
On écrit donc \[ x_E(t)=\snzi x_c(nT_e)P_{\tau}(t-nT_e), \quad P_{\tau}\text{ fonction porte } P_{\tau}(t)=
\begin{cases}
\begin{cases}
1&\text{ si }0\leq t \leq\tau\\
1&\text{ si }0\leq t \leq\tau\\
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@@ -303,10 +322,17 @@ La conductivité (donc résistivité) du canal est contrôlée par $V_{GS}$. L'a
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@@ -303,10 +322,17 @@ La conductivité (donc résistivité) du canal est contrôlée par $V_{GS}$. L'a
\end{itemize}
\end{itemize}
\includegraphics[width=0.5\textwidth]{1/12.png}
%\includegraphics[width=0.5\textwidth]{1/12.png}
\paragraph{Structure physique}
\paragraph{Structure physique}
\begin{figure}[H]
\centering
\caption{Structure interne d'un transistor mos}
\end{figure}
Les 2 zones de Si dopées N sont des réservoirs à électrons, séparées par la longueur de la grille $L_G$, par une zone de Si dopée P où les porteurs de courant sont des trous (charges positives).
Les 2 zones de Si dopées N sont des réservoirs à électrons, séparées par la longueur de la grille $L_G$, par une zone de Si dopée P où les porteurs de courant sont des trous (charges positives).
À l'interface P/N il y a une barrière d'énergie potentielle qui empêche les électrons de passer dans la zone P et les trous dans la zone N.
À l'interface P/N il y a une barrière d'énergie potentielle qui empêche les électrons de passer dans la zone P et les trous dans la zone N.
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@@ -421,6 +447,51 @@ Les interrupteur CMOS sont intégrables sur silicium en même temps que la capac
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@@ -421,6 +447,51 @@ Les interrupteur CMOS sont intégrables sur silicium en même temps que la capac
En effectuant la transformée de Fourier de ce signal on a:
En effectuant la transformée de Fourier de ce signal on a:
\[X_E(f)= TF(x_E(t))=(F_e \sum_{n=-\infty}^{\infty} X_C(f-nF_e)).\tau exp(-j\pi f \tau)sinc(\pi f \tau)\]
\[X_E(f)= TF(x_E(t))=(F_e \sum_{n=-\infty}^{\infty} X_C(f-nF_e)).\tau exp(-j\pi f \tau)sinc(\pi f \tau)\]
On fait attention à ce que $F_e$ vérifie la condition de Shannon. $F_e$ doit être supérieure au double de la fréquence maximale du spectre de $x_C(t)$.\\
On fait attention à ce que $F_e$ vérifie la condition de Shannon. $F_e$ doit être supérieure au double de la fréquence maximale du spectre de $x_C(t)$.\\